蒸发结晶是氯化镁溶液提纯的核心工艺，通过控制浓缩与析晶过程的关键参数，可实现高纯度、均匀晶体的规模化生产。其原理基于溶液过饱和度驱动晶体成核与生长，而氯化镁的特性要求对控制点进行准确设计。

　　温度控制是首要因素。氯化镁溶解度随温度升高而变大，蒸发过程中需梯度升温以维持适宜过饱和度。例如，在常压蒸发阶段，控制温度在80-100℃可加速水分蒸发而不引发局部暴沸;进入结晶阶段后，降温至30-50℃可促进晶核稳定形成，避免因温差过大导致晶体破裂或结块。

　　搅拌强度与流场设计直接影响晶体均匀性。高速搅拌(如200-400rpm)可防止溶质沉积，但过度湍流会打碎晶芽;低速搅拌则可能导致局部过饱和度失衡。通过CFD模拟优化搅拌桨形状与位置，可形成均匀流场，确保晶体粒度分布集中。

　　真空度调节在减压蒸发中尤为重要。降低系统压力可降低溶液沸点，减少热敏性物质的分解风险。例如，在氯化镁精制中，维持真空度-0.08MPa可将蒸发温度控制在60℃以下，避免高温导致的氧化镁杂质析出。

　　杂质控制与晶种添加是品质保障的关键。前处理阶段需通过离子交换去除钙、硫酸根等杂质，防止共结晶污染。在过饱和度达到1.2-1.5时添加晶种，可诱导定向成核，减少自发晶核数量，获得粒径均匀的晶体。

　　在线监测与智能反馈实现工艺闭环。通过电导率仪实时监测溶液浓度，配合激光粒度仪跟踪晶体生长，可动态调整蒸发速率与搅拌参数。某企业应用该系统后，氯化镁晶体纯度达99.9%，单程收率提升15%。

　　综上，蒸发结晶工艺需通过多参数协同控制，平衡效率与品质，实现氯化镁溶液的高效浓缩与品质晶体析出，满足电子级、医药级等应用需求。